CMP拋光的基本原理：化學(xué)與機(jī)械的協(xié)同作用化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是一種通過化學(xué)腐蝕與機(jī)械研磨的動態(tài)耦合，實(shí)現(xiàn)晶圓表面原子級平坦化的技術(shù)。其核心原理分為三個關(guān)鍵階段：（···
